Izpis gradiva

A+ | A- | | SLO | ENG

Naslov: Effect of the nitrogen environment on indium gallium zinc oxide thin film transistors with low temperature ultraviolet annealing Avtorji: ID An, Kunsik (Avtor) ID Moon, Yoon Jae (Avtor) ID Kim, Jun Young (Avtor) ID Ndikumana, Joel (Avtor) ID Kang, Kyung-Tae (Avtor) Datoteke: PDF - Predstavitvena datoteka, prenos (709,60 KB) MD5: 000ABC373D7F6A863EAEFF94C9EBED05   URL - Izvorni URL, za dostop obiščite https://ojs.midem-drustvo.si/index.php/InfMIDEM/article/view/2206   URL - Izvorni URL, za dostop obiščite https://ojs.midem-drustvo.si/index.php/InfMIDEM/article/view/2206   To gradivo ima še več datotek. Celoten seznam je na voljo spodaj. Jezik: Angleški jezik Tipologija: 1.01 - Izvirni znanstveni članek Organizacija: MIDEM - Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale Povzetek: This study explores the influence of nitrogen gas flow rate on the electrical characteristics of indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) thin-film transistors (TFTs) annealed under heat-assisted UV illumination. The aim is to understand how nitrogen flow rates impact the performance of solution-processed IGZO TFTs annealed at low temperatures, which is crucial for developing highperformance devices for next-generation electronics and temperature-sensitive applications. The IGZO TFTs were fabricated on glass substrates using a bottom-gate top-contact configuration, with the IGZO thin film deposited by inkjet printing and annealed in a chamber with varying nitrogen gas flow rates (0.5, 1, 2, and 5 L/min) at 250°C for 2 hours under UV illumination. The electrical characteristics were extracted from transfer characteristics measurements. The results show that a nitrogen flow rate of 1 L/min enhances the electrical properties of IGZO TFTs, likely due to a suitable concentration of oxygen vacancies. Excessive N2 flow rates (>1 L/min) negatively impact on the TFT characteristics, while lower flow rates (<1 L/min) result in more negative threshold voltages and lower on/off current ratios. The study concludes that optimizing the nitrogen gas flow rate is critical for achieving desired TFT properties, offering a valuable tool for fine-tuning IGZO TFTs to meet specific application requirements. Ključne besede: MEC, IGZO TFTs, low temperature, nitrogen annealing effect, oxide semiconductor, thin film transistor Status publikacije: Objavljeno Verzija publikacije: Objavljena publikacija Datum objave: 01.01.2025 Leto izida: 2025 Št. strani: str. 193-198 Številčenje: Vol. 55, no. 3 PID: 20.500.12556/DiRROS-30239  UDK: 621.38 ISSN pri članku: 0352-9045 DOI: 10.33180/InfMIDEM2025.306  COBISS.SI-ID: 281497859  Opomba: Besedilo v angl.; Datum objave v DiRROS: 18.06.2026 Število ogledov: 239 Število prenosov: 312 Metapodatki:    Citiraj gradivo Navadno besedilo BibTeX EndNote XML EndNote/Refer RIS ABNT ACM Ref AMA APA Chicago 17th Author-Date Harvard IEEE ISO 690 MLA Vancouver : Kopiraj citat

Objavi na: Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Gradivo je del revije

Naslov:	Informacije MIDEM : časopis za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale
Skrajšan naslov:	Inf. MIDEM
Založnik:	Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale
ISSN:	0352-9045
COBISS.SI-ID:	1220612

Gradivo je financirano iz projekta

Financer:	NRF - National Research Foundation of Korea
Program financ.:	Basic Science Research Program
Številka projekta:	2021R1I1A3059714

---

Financer:	Korea Ministry of SMEs and Startups
Številka projekta:	RS-2025-02313349
Naslov:	Collabo R&D between Industry, University, and Research Institute

Licence

Licenca:	CC BY 4.0, Creative Commons Priznanje avtorstva 4.0 Mednarodna
Povezava:	http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/deed.sl
Opis:	To je standardna licenca Creative Commons, ki daje uporabnikom največ možnosti za nadaljnjo uporabo dela, pri čemer morajo navesti avtorja.

Sekundarni jezik

Jezik:	Slovenski jezik
Naslov:	Vpliv dušikovega okolja na tankoplastne tranzistorje iz indij-galij-cinkovega oksida z nizkotemperaturnim ultravijoličnim žarjenjem
Povzetek:	Študija raziskuje vpliv pretoka dušikovega plina na električne lastnosti tankoplastnih tranzistorjev (TFT) iz indij-galij-cinkoksida (IGZO), žarjenih pod toplotno podprto UV-osvetlitvijo. Cilj je razumeti, kako pretok dušika vpliva na delovanje IGZO TFT, obdelanih s tekočino in žarjenih pri nizkih temperaturah, kar je ključnega pomena za razvoj visoko zmogljivih naprav za elektroniko naslednje generacije in temperature občutljive aplikacije. IGZO TFT so bili izdelani na steklenih podlagah z uporabo konfiguracije spodnjih vrat in zgornjega kontakta, pri čemer je bil IGZO tanek film nanesen s tiskanjem z inkjet tiskalnikom in žarjen v komori z različnimi pretoki dušika (0,5, 1, 2 in 5 l/min) pri 250 °C 2 uri pod UV-osvetlitvijo. Električne lastnosti so bile izmerjene iz meritev prenosnih lastnosti. Rezultati kažejo, da pretok dušika 1 l/min izboljša električne lastnosti IGZO TFT, verjetno zaradi ustrezne koncentracije kisikovih praznin. Prekomerni pretoki N2 (>1 l/min) negativno vplivajo na lastnosti TFT, medtem ko nižji pretoki (<1 l/min) povzročajo bolj negativne pragovne napetosti in nižja razmerja med vklopnim in izklopnim tokom. Študija zaključuje, da je optimizacija pretoka dušika ključna za doseganje želenih lastnosti TFT, kar ponuja dragoceno orodje za natančno nastavitev IGZO TFT, da izpolnjujejo specifične zahteve aplikacij.
Ključne besede:	IGZO TFTs, nizka temperatura, učinek dušikovega žarjenja, oksidni polprevodnik, tankoplastni tranzistor

Zbirka

To gradivo je del naslednjih zbirk del:

1. Informacije MIDEM

Datoteke

Podatki se nalagajo...

Nazaj