20.500.12556/DiRROS-30239 Effect of the nitrogen environment on indium gallium zinc oxide thin film transistors with low temperature ultraviolet annealing Vpliv dušikovega okolja na tankoplastne tranzistorje iz indij-galij-cinkovega oksida z nizkotemperaturnim ultravijoličnim žarjenjem This study explores the influence of nitrogen gas flow rate on the electrical characteristics of indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) thin-film transistors (TFTs) annealed under heat-assisted UV illumination. The aim is to understand how nitrogen flow rates impact the performance of solution-processed IGZO TFTs annealed at low temperatures, which is crucial for developing highperformance devices for next-generation electronics and temperature-sensitive applications. The IGZO TFTs were fabricated on glass substrates using a bottom-gate top-contact configuration, with the IGZO thin film deposited by inkjet printing and annealed in a chamber with varying nitrogen gas flow rates (0.5, 1, 2, and 5 L/min) at 250°C for 2 hours under UV illumination. The electrical characteristics were extracted from transfer characteristics measurements. The results show that a nitrogen flow rate of 1 L/min enhances the electrical properties of IGZO TFTs, likely due to a suitable concentration of oxygen vacancies. Excessive N2 flow rates (>1 L/min) negatively impact on the TFT characteristics, while lower flow rates (<1 L/min) result in more negative threshold voltages and lower on/off current ratios. The study concludes that optimizing the nitrogen gas flow rate is critical for achieving desired TFT properties, offering a valuable tool for fine-tuning IGZO TFTs to meet specific application requirements. Študija raziskuje vpliv pretoka dušikovega plina na električne lastnosti tankoplastnih tranzistorjev (TFT) iz indij-galij-cinkoksida (IGZO), žarjenih pod toplotno podprto UV-osvetlitvijo. Cilj je razumeti, kako pretok dušika vpliva na delovanje IGZO TFT, obdelanih s tekočino in žarjenih pri nizkih temperaturah, kar je ključnega pomena za razvoj visoko zmogljivih naprav za elektroniko naslednje generacije in temperature občutljive aplikacije. IGZO TFT so bili izdelani na steklenih podlagah z uporabo konfiguracije spodnjih vrat in zgornjega kontakta, pri čemer je bil IGZO tanek film nanesen s tiskanjem z inkjet tiskalnikom in žarjen v komori z različnimi pretoki dušika (0,5, 1, 2 in 5 l/min) pri 250 °C 2 uri pod UV-osvetlitvijo. Električne lastnosti so bile izmerjene iz meritev prenosnih lastnosti. Rezultati kažejo, da pretok dušika 1 l/min izboljša električne lastnosti IGZO TFT, verjetno zaradi ustrezne koncentracije kisikovih praznin. Prekomerni pretoki N2 (>1 l/min) negativno vplivajo na lastnosti TFT, medtem ko nižji pretoki (<1 l/min) povzročajo bolj negativne pragovne napetosti in nižja razmerja med vklopnim in izklopnim tokom. Študija zaključuje, da je optimizacija pretoka dušika ključna za doseganje želenih lastnosti TFT, kar ponuja dragoceno orodje za natančno nastavitev IGZO TFT, da izpolnjujejo specifične zahteve aplikacij. MEC IGZO TFTs low temperature nitrogen annealing effect oxide semiconductor thin film transistor IGZO TFTs nizka temperatura učinek dušikovega žarjenja oksidni polprevodnik tankoplastni tranzistor true false false Angleški jezik Slovenski jezik Neznano 2026-06-17 19:13:59 2026-06-18 06:00:01 2026-06-19 03:51:51 0000-00-00 00:00:00 2025 0 0 Besedilo v angl.; str. 193-198 no. 3 Vol. 55 2025 0000-00-00 NiDoloceno NiDoloceno NiDoloceno 0000-00-00 0000-00-00 2025-01-01 621.38 0352-9045 10.33180/InfMIDEM2025.306 281497859 https://ojs.midem-drustvo.si/index.php/InfMIDEM/article/view/2206 1 eeb62ef5-6a6f-11f1-97b2-001a4af901a5 https://dirros.openscience.si/Dokument.php?lang=slv&id=45809 https://ojs.midem-drustvo.si/index.php/InfMIDEM/article/view/2206 1 2ed2763d-6aca-11f1-a3b9-001a4af901a5 https://dirros.openscience.si/Dokument.php?lang=slv&id=45835 Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale 0 0 0