Izpis gradiva

A+ | A- | | SLO | ENG

Naslov: Analysis and mitigation of negative differential resistance effects with hetero-gate dielectric layer in negative-capacitance field-effect transistors Avtorji: ID Huo, Honglei (Avtor) Datoteke: URL - Izvorni URL, za dostop obiščite https://www.midem-drustvo.si/journal_papers/MIDEM_54(2024)1p6.pdf   URL - Izvorni URL, za dostop obiščite https://plus.cobiss.net/cobiss/si/sl/data/cobib/245622787   URL - Izvorni URL, za dostop obiščite https://www.midem-drustvo.si/journal_papers/MIDEM_54(2024)1p6.pdf   Jezik: Angleški jezik Organizacija: MIDEM - Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale Datum objave: 01.01.2024 Leto izida: 2024 Št. strani: str. 65-73 Številčenje: Vol. 54, no. 1 PID: 20.500.12556/DiRROS-29866  UDK: 621.382.3 ISSN pri članku: 0352-9045 DOI: 10.33180/InfMIDEM2024.106  COBISS.SI-ID: 245622787  Opomba: Besedilo v angl.; Datum objave v DiRROS: 18.06.2026 Število ogledov: 29 Število prenosov: 23 Metapodatki:    Citiraj gradivo Navadno besedilo BibTeX EndNote XML EndNote/Refer RIS ABNT ACM Ref AMA APA Chicago 17th Author-Date Harvard IEEE ISO 690 MLA Vancouver : Kopiraj citat

Objavi na: Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Gradivo je del revije

Naslov:	Informacije MIDEM : časopis za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale
Skrajšan naslov:	Inf. MIDEM
Založnik:	Strokovno društvo za mikroelektroniko, elektronske sestavne dele in materiale
ISSN:	0352-9045
COBISS.SI-ID:	1220612

Sekundarni jezik

Jezik:	Slovenski jezik
Naslov:	Analiza in ublažitev učinkov negativne diferencialne upornosti s hetero-vratno dielektrično plastjo v poljskih tranzistorjih z negativno kapacitivnostjo
Ključne besede:	negativna diferencialna upornost, poljski tranzistor z negativno kapacitivnostjo, visoka dielektrična konstanta, heterovratni dielektrik

Nazaj