Digitalni repozitorij raziskovalnih organizacij Slovenije

Izpis gradiva
A+ | A- | Pomoč | SLO | ENG

Naslov:Dielectric loss of Si[sub]2N[sub]2O and the influence of Li on its properties
Avtorji:ID Yang, Yong (Avtor)
ID He, Ming (Avtor)
ID Zhang, Ting (Avtor)
ID Wu, Meng-qiang (Avtor)
Datoteke:URL URL - Izvorni URL, za dostop obiščite https://mater-tehnol.si/index.php/MatTech/article/view/334
 
URL URL - Izvorni URL, za dostop obiščite https://mater-tehnol.si/index.php/MatTech/article/view/334/132
 
Jezik:Angleški jezik
Tipologija:1.01 - Izvirni znanstveni članek
Organizacija:Logo IMT - Inštitut za kovinske materiale in tehnologije
Ključne besede:Si2N2O, dielectric loss, high temperature, Li doping
Leto izida:2022
Št. strani:str. 79-84
Številčenje:Letn. 56, št. 1
PID:20.500.12556/DiRROS-15188 Novo okno
UDK:537.226.3:661.687
ISSN pri članku:1580-2949
DOI:10.17222/mit.2021.334 Novo okno
COBISS.SI-ID:109957379 Novo okno
Datum objave v DiRROS:22.06.2022
Število ogledov:462
Število prenosov:211
Metapodatki:XML RDF-CHPDL DC-XML DC-RDF
:
Kopiraj citat
  
Objavi na:Bookmark and Share


Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Gradivo je del revije

Naslov:Materiali in tehnologije
Skrajšan naslov:Mater. tehnol.
Založnik:Inštitut za kovinske materiale in tehnologije
ISSN:1580-2949
COBISS.SI-ID:106193664 Novo okno

Sekundarni jezik

Jezik:Slovenski jezik
Naslov:Dielektrične izgube Si[sub]2N[sub]2O in vpliv Li na njegovelastnosti
Ključne besede:Si2N2O, dielektrične izgube, visoke temperature, dopiranje z Li


Nazaj