Digitalni repozitorij raziskovalnih organizacij Slovenije

Izpis gradiva
A+ | A- | Pomoč | SLO | ENG

Naslov:Study of the neutron radiation hardness of MAPD-3NK2 silicon photomultipliers
Avtorji:ID Ambrožič, Klemen, Institut "Jožef Stefan" (Avtor)
ID Jazbec, Anže, Institut "Jožef Stefan" (Avtor)
ID Holik, M. (Avtor)
ID Nuruyev, S. (Avtor)
ID Ahmadov, F. (Avtor)
ID Ahmadov, G. (Avtor)
ID Okhrimenko, O. (Avtor)
ID Mammadli, A. (Avtor)
ID Sadygov, A. (Avtor)
ID Sadygov, Z. (Avtor)
Datoteke:URL URL - Izvorni URL, za dostop obiščite https://www.nature.com/articles/s41598-025-24759-1
 
.pdf PDF - Predstavitvena datoteka, prenos (2,87 MB)
MD5: 077A1C0852F3BCC5A8AEAE168B6B3DE8
 
Jezik:Angleški jezik
Tipologija:1.01 - Izvirni znanstveni članek
Organizacija:Logo IJS - Institut Jožef Stefan
Povzetek:The radiation hardness of MAPD-3NK2 photodiodes with deep-buried pixel structures was evaluated under neutron irradiation at fluences ranging from 3.6 × 109to 3.6 × 1012neq/cm². Irradiation induced dark current increase of up to 2060 times, a breakdown voltage shift of (0.37 ± 0.08) V, a photo signal amplitude reduction of (90.1 ± 0.4) %, and a tenfold degradation in amplitude resolution. Partial recovery was observed after 40 days of room-temperature annealing, with dark current decreasing by 35%.Similar performance changes were observed in photodiodes with artificially elevated dark current, indicating that excess current is the primary driver of degradation. This current likely impedes photoelectron detection by occupying pixels or failing to fully quench the avalanche process, thereby reducing photocurrent.
Ključne besede:neutron irradiation, radiation hardness, silicon photomultipliers, photodiodes, dark current degradation
Status publikacije:Objavljeno
Verzija publikacije:Objavljena publikacija
Poslano v recenzijo:21.05.2025
Datum sprejetja članka:15.10.2025
Datum objave:20.11.2025
Založnik:Nature Publishing Group
Leto izida:2025
Št. strani:str. 1-12
Številčenje:Vol. 15, article no. 40974
Izvor:Združeno kraljestvo
PID:20.500.12556/DiRROS-24398 Novo okno
UDK:53
ISSN pri članku:2045-2322
DOI:10.1038/s41598-025-24759-1 Novo okno
COBISS.SI-ID:258683651 Novo okno
Avtorske pravice:© The Author(s) 2025
Opomba:Nasl. z nasl. zaslona; Soavtorja iz Slovenije: A. Jazbec, K. Ambrožič; Opis vira z dne 25. 11. 2025;
Datum objave v DiRROS:26.11.2025
Število ogledov:143
Število prenosov:58
Metapodatki:XML DC-XML DC-RDF
:
Kopiraj citat
  
Objavi na:Bookmark and Share


Postavite miškin kazalec na naslov za izpis povzetka. Klik na naslov izpiše podrobnosti ali sproži prenos.

Gradivo je del revije

Naslov:Scientific reports
Skrajšan naslov:Sci. rep.
Založnik:Nature Publishing Group
ISSN:2045-2322
COBISS.SI-ID:18727432 Novo okno

Gradivo je financirano iz projekta

Financer:EC - European Commission
Številka projekta:101129879
Naslov:Novel detector concept for medical gamma probe
Akronim:DETMED

Licence

Licenca:CC BY-NC-ND 4.0, Creative Commons Priznanje avtorstva-Nekomercialno-Brez predelav 4.0 Mednarodna
Povezava:http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/deed.sl
Opis:Najbolj omejujoča licenca Creative Commons. Uporabniki lahko prenesejo in delijo delo v nekomercialne namene in ga ne smejo uporabiti za nobene druge namene.
Začetek licenciranja:20.11.2025
Vezano na:VoR

Sekundarni jezik

Jezik:Slovenski jezik
Ključne besede:nevtronsko obsevanje, odpornost na sevanje, silicijevi fotopomnoževalniki, fotodiode, poslabšanje zaradi temnega toka


Nazaj